icon-rss-large

澳门新葡京手机版app-官方娱乐平台 | Login | SignUp

Subscribe to RSS | Email | 122 Subscribers

IBM用石墨烯制成混频器IC,将用于仿造电路

日期:2018-08-22作者:admin

  美国IBM公司使用以石墨烯干畅通道的晶体管(GFET)等制成了混频器IC。从GFET的结合、层叠到电感器和布匹线的集儿子成,均在晶圆上壹次性制成,初次展即兴了采取石墨烯的IC量产的能性。

  此次制成的混频器IC因尺寸什分小,露示出产了其特点温度依存放性小,同时却在10GHz的父亲带广大为怀工干等出产色干用。IBM称今后的目的是将GFET混载于更骈杂的电路中。

  IBM先前创造的GFET的体即兴图

  IBM先前创造的GFET的体即兴图(点击收压缩制紧缩)

  在SiC基板上外面延年更加寿

  混频器是无线畅通信中用于调制频比值的电路。此次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端儿子焊盘等结合(图1)。试制芯片的尺寸条约为900μm×600μm。

  试制时,比值先用暖和分松规律石墨烯膜在SiC基板上外面延年更加寿。详细为,把SiC基板的外面表加以暖和到1400℃,条令Si从外面表2~3层的SiC结晶中脱退出产到来。剩的C会己触动结合石墨烯膜。该石墨烯膜露示出产n型半带体的特点。

  GFET和电感器混载于壹枚芯片上

  图:GFET和电感器混载于壹枚芯片上(点击收压缩制紧缩)

  图中展即兴了IBM开辟的混频器IC。在使用暖和分松法结合石墨烯后,以次创造布匹线层的源跑电极、栅极电极及电感器。栅极长为550nm,畅通道广大为怀度为30μm。

  在该石墨烯膜上创造掩模,运用基于电儿子光束(EB)的光雕刻技术在石墨烯膜上结合图案。然后,层叠源跑电极。在结合干为栅极绝缘膜的Al2O3后,结合栅极电极。接着经度过运用垫片叠加以Al层,以EB加以工成电感器。

  在评价此次的试产品时,确认了其却依照设计工干。即输入4GHz的片断振荡(LO)频比值和3.8GHz的仿造记号时,输入了此雕刻两种频比值的和7.8GHz及差200MHz。

  此次混频器IC运用了低价的SiC基板,此雕刻是其使用募化所面对的首要课题。不外面,与运用GaAs、工干频比值为几GHz的混频器IC产品比较,还是拥有其优势的。鉴于即兴拥有混频器IC无法混载电感器,需寻求外面置主触动部件。